Pooljuhtklassi grafiit

Semiconductor Grafite on üli-kõrge-puhtusastmega konstrueeritud materjal, mis on spetsiaalselt töödeldud täiustatud pooljuhtide tootmise rakenduste jaoks. See on loodud vastama kõrgete-temperatuuriliste soojusväljade rangetele nõuetele, see tagab erakordse vastupidavuse keemilisele saastumisele, suurepärase termilise stabiilsuse ja täpse mõõtmete täpsuse.

Tuhasisaldust hoitakse rangelt<5 PPM to prevent chemical contamination, verified by independent third-party ICP-MS batch testing.

Toodetud täiustatud külmisostaatilise pressimise (CIP) abil, et saavutada ühtlane tihedus, isotroopsed omadused ja struktuursete nõrkade kohtade kõrvaldamine.

Sellel on madal soojuspaisumistegur (CTE), et vältida pingete pragunemist ja deformatsiooni kiirete temperatuuritsüklite ajal.

Säilitab konstruktsiooni terviklikkuse ja kõrge mehaanilise tugevuse temperatuuril kuni 2000 kraadi (ja kõrgemal teatud inertsetes tingimustes) vaakumis või inertgaasi atmosfääris.

Kohandatud-töödeldud majas-, kuni ±0,005 mm mõõtmete tolerantsid sujuvaks pooljuhtreaktori integreerimiseks.

Kohandatud CNC töötlemine:Mitme-telje CNC-võimalused keerukate geomeetriate valmistamiseks kliendi kavandite põhjal.

Pinnatöötluse võimalused:Soovi korral on saadaval valikulised CVD SiC katmise teenused, et suurendada oksüdatsiooni- ja kemikaalikindlust reaktiivses keskkonnas.

Tehniline konsultatsioon:Materjaliekspertide tehniline tugi klassi valikul ja soojusvälja optimeerimisel.

Konsultatsioon ja disainiülevaade:Meie insenerid vaatavad teie CAD-joonised (STEP, IGES, DXF) üle, et optimeerida töödeldavust ja soojusvälja jõudlust.

Külm isostaatiline pressimine (CIP):Ühtsete plokkide moodustamine sisepingete kõrvaldamiseks ja isotroopse konstruktsiooni töökindluse tagamiseks.

Kõrgel{0}}temperatuuril puhastamine:Vaakumgrafitiseerimine ja termiline puhastamine, et vähendada metallide lisandite jääke alla 5 PPM.

Mitme-teljega CNC-mehaaniline töötlemine:Täpne vormimine, et saavutada ranged tolerantsid kuni ±0,005 mm.

Valikuline CVD SiC kate:Keemiline aurustamine-sadestamine mitteläbilaskva ränikarbiidikihi jaoks, mis suurendab oksüdatsiooni ja plasma vastupidavust.

Puhasruumi puhastamine ja pakendamine:Ultrahelipuhastus, millele järgneb topelt-vaakum-anti-tihendamine saastevaba-transpordi tagamiseks.

CZ Silicon Single Crystal Kasv:Kõrge -puhtusastmega tiiglid, küttekehad ja varjestuskomponendid, mis on loodud taluma intensiivseid soojusvälju, vältides samal ajal lisandite difusiooni monokristallilistesse ränikividesse.

MOCVD ja epitaksia:Erakordse soojusjuhtivusega sustseptorid tagavad ühtlase temperatuurijaotuse suure{0}}läbimõõduga plaatide vahel, optimeerides epitaksiaalse kihi ühtlust.

Ioonide implanteerimine ja söövitamine:Suure-tihedusega komponendid, mis pakuvad suurepärast vastupidavust agressiivsele plasmaerosioonile, mille tulemuseks on pikenenud töötsüklid ja vähenenud osakeste teke.

Tooraine:Esmaklassilised lähteained on kontrollitud stabiilse süsinikualuse suhtes.

Puhtus:Kõrge{0}}temperatuuriline puhastamine, mis tagab, et tuhasisaldus jääb rangelt alla 5 PPM.

Füüsilised omadused:Tihedus, poorsus ja tugevus on testitud äärmise termilise töökindluse tagamiseks.

Mõõtmete täpsus:Täpne CMM-kontroll, mis tagab ranged tolerantsid (±0,005 mm kuni ±0,01 mm).

Pinna seisukord:Täpne viimistlus ja puhastus defektide ja tahkete osakeste tekke kõrvaldamiseks.

Keskkonna- ja eeskirjade järgimine:Täielikult kooskõlas RoHS- ja REACH-standarditega, tagades ohutu ja keskkonnasõbraliku{0}}pooljuhtide tarneahela integreerimise.

Täielik jälgitavus:Iga saadetise kohta esitatakse täielikud materjalitesti aruanded (MTR), sealhulgas kolmanda osapoole ICP-MS andmed, et tagada vastavus ISO 9001 standardile.